项目简介

该项目的关键技术就是把铁（Fe）、钴（Co）、硅（Si）和硼（B）4种晶体元素按一定比例设计合成柔性非晶体软磁性材料，用磁控溅射法将这种材料制成薄膜，并用作芯片电感的薄膜磁芯。在不增加电感元件的体积、电流等其它指标的情况下，可使芯片电感的感量增强5倍，从而实现了电感元件小型化，节能型和高品质的目标。我们是在日本最早用磁控溅射法开发成功该项技术的，首次提出了外磁芯薄膜方法，改变了传统的中心磁芯概念，使得传统的三维构造电感简化为二维构造，并拥有了薄膜磁芯。在研制过程中，攻克了多项世界性难题，研发了三项关键技术

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